第1621章 现在和未来,都是我们的(1 / 2)
第1621章 现在和未来,都是我们的
或许是为了给这番论述一个直观的注脚,张汝宁走到测试平台旁,小心翼翼地从特制载物架上取下一片晶圆,交到栾文杰手中。
经过特殊处理的矽片表面光滑如镜,肉眼看去并无特殊之处。
但旁边的显示屏随之亮起,清晰地呈现出一个由无数细微线条构成的丶边缘锐利无比的字母。
「F」。
「受限于这里的条件,我们没有完整的晶圆台和光刻胶处理线,无法制造出包含复杂电路的完整晶片。」张汝宁指着屏幕解释道,「但是,您看到的这个字母『F』,其每一笔划的线宽,都是严格按照30nm的特徵尺寸设计并光刻出来的。」
他伸手轻轻点在屏幕上那个清晰锐利的「F」上,加重语气:
「30nm,已经超过了TSMC当前7nm工艺所能达到的实际精度。」
栾文杰双手捧着那片小小的晶圆,如同捧着一块稀世珍宝。
尽管根本不可能分辨出30nm的细微线条,但他依旧看得无比专注——
这手掌上的方寸之间,蕴含着足以撼动全球半导体丶乃至全球科技格局的力量。
沉默,持续了足有一分钟。
终于,栾文杰长长地丶极其缓慢地吁出一口气,动作轻柔地将晶圆交还给张汝宁。
似乎还带着些许不舍。
「这块晶圆,我们会做专门保存。」常浩南看出了对方的心思,出言道,「这是我们在半导体生产领域反超的起点,以后可以放进工建委的博物馆里。」
说起这个,他突然想起了那块至今还放在地下仓库里面的B2碎片。
「算了。」栾文杰低声感叹,声音透过面罩显得有些沉闷,「这东西就算能展出,我们怕是也抢不过国博……」
一个玩笑,让现场的气氛轻松了不少。
但很快,他又话锋一转。
「我之前去华芯国际调研的时候,听他们的技术专家提到过。」栾文杰提出了一个更长远的问题,「在当前矽基CMOS工艺的物理框架下,制程的极限大概在5nm或者3nm附近,如果按照刚才计算的107.22nm等效波长来推算……」
「是否意味着,未来我们这台ArF-1800,也有可能通过技术优化,用于生产下一代,甚至下两代的产品?这关系到我们战略窗口期的长短!」
这个问题,张汝宁已经等待了很久。
「跟刚才那张表上的情况一样,业界宣传的『5nm』丶『3nm』这些节点名称,仍然是制程叠代的代称,跟实际的最小物理特徵尺寸并非严格的一一对应关系。」
他解释道:
「所谓『5nm』节点实际对应的特徵尺寸,业界预估会在25nm左右,至于『3nm』,则可能对应到15-18nm区间。」
张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜,继续深入技术本质:
「对于25nm的特徵尺寸,ArF-1800仍然可以通过双重曝光技术实现,就是良品率会比单次曝光生产30nm级别的产品时有所下降,工艺整合的复杂度也会提升,不过技术路径是确定存在的。」
尽管隔着面罩,但众人还是能感觉到,栾文杰原本皱着的眉头舒展开来。
而张汝宁语气却变得慎重起来:
「至于20nm以下级别的特徵尺寸,将是另一个维度的挑战……实际上,随着晶片制程逼近矽材料的物理极限,量子隧穿效应将变得无法忽视,电晶体将难以有效关断,漏电流剧增,同时微观层面的不确定性会急剧放大,导致器件性能的波动性大幅增加。」
「一般认为这个临界尺寸会在10nm左右,但考虑到衍射极限的存在,以及任何工业产品都不可能做到真正意义上的完美无缺,就算是使用EUV光刻机,要想稳定量产特徵尺寸在20nm以下的产品,也会非常非常困难,而且良率会不可控制的降低。」
随后,他做了一个总结性的判断:
「我个人认为,随着边界效应的递增,未来晶片性能提升的主要驱动力,将从过去单纯依赖制程微缩,转向更依赖于晶片架构创新丶先进封装技术丶还有底层驱动软体和算法的深度优化……」
张汝宁坦诚地摊了摊手:
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